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1 nm实现过程:半导体技术突破极限

文章来源:365bet在线官网  文章作者:365bet365打不开  发表时间:2019-11-05  浏览次数: 人次

1 nm实现过程:半导体技术突破极限
2017-05-0312:12:19来源:超级网:玻利瓦尔(Bolivar)编辑:雪花评论(0)
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英特尔,台积电和三星这三大半导体工厂今年将批量生产10纳米工艺。明年我们准备开始7纳米制程,而5纳米制程将在2020年左右开始。
然而,由于工艺技术的更新,半导体工艺正接近其极限,从而使制造变得更加困难。
迄今为止,超过5 nm的工艺尚未得出明确的结论,因此需要更新晶体管的材料和工艺。
在这一点上,美国处于最前沿,美国布鲁克海文国家实验室的研究人员宣布完成1 nm工艺制造。
根据EETimes的一份报告,位于美国能源部(DOE)的布鲁克海文国家实验室的研究人员宣布创造新的世界纪录。电子束印刷。非传统平版印刷技术。
该实验室的研究人员正在创造性地使用电子显微镜创建比传统EBL(电子束印刷)工艺更小的尺寸,并且对电子束敏感的材料可以使电子束聚焦。可以操纵单个原子的点已大大减少。
他们创建的工具可以在两种状态下从传导到光传输和相互作用极大地改变材料属性。
它的成就是在能源部功能纳米材料中心完成的,STEM(扫描电子显微镜)用于1 nm打印,并且相隔11 nm,平方毫米。特征的密度。
在耐氢氧化硅酸盐的情况下,通过STEM校正半门5 nm处的偏压可获得2 nm分辨率。
PD:这些技术令人兴奋,但是实验室中开发的技术并不意味着它们可以很快售出。Brookhaven Labs的1 nm工艺与当前的光刻工艺有很大不同,例如使用电子束代替激光光刻。使用的材料不是硅基半导体,而是PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。基于硅的测试材料。
实际上,这并不是科学家第一次实施1 nm工艺。去年,美国能源部的另一个国家实验室。美国劳伦斯伯克利国家实验室也宣布了1 nm工艺。他们使用了新的碳纳米管和二硫化钼。
类似地,由于当前的PMMA光刻技术和电子束与当前的半导体工艺不同,碳纳米管晶体管在不久的将来将不同于大规模生产。完全消除现有设备是不可能的。
美国半导体技术的实力很强,而中国在这一领域远远落后。不可能期望国有企业开发这些新技术。您对此有任何好的建议或意见吗?
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